2N® Helios

Un concierge obéissant et intelligent

Doté d’un design résolument moderne, le portier 2N® Helios dispose de fonctionnalités que vous ne trouverez certainement pas sur toutes les portes. Il s’agit d’un système de communication permettant la transmission audio et vidéo.

Points forts du produit:

Grâce à sa modularité, cette solution permet de créer un système de porte en fonction des besoins de l’utilisateur, non seulement quant à sa taille, mais aussi pour ce qui est de ses éléments de commande ou les fonctions disponibles. Chaque module peut être équipé d’une caméra, d’un écran ou d’un lecteur de cartes ainsi que d’une protection antivandale pour une résistance accrue.

Je suis intéressé en ce produit

Paramètres

  • Explications:
    Les données entre parenthèses indiquent les conditions dans le cas desquelles les valeurs évoquées sont atteintes
  • Tension minimale de la ligne
    20V (État raccroché)
  • Courant minimal de la ligne
    15 mA (État décroché)
  • Largeur de la bande
    300 à 3500 Hz (20 à 60 mA)

Autres paramètres

  • Commutateur – tension maximum
    48 V AC, DC
  • Commutateur – tension minimum
    9 V AC, DC
  • Commutateur – courant maximum
    2 A AC, DC
  • Éclairage – tension nominale
    12 V
  • Éclairage – tension maximale
    24 V
  • Éclairage – débit
    max. 1 A
  • Écart des températures d’exploitation
    -20 až + 60 ºC
  • Degré de couverture
    IP 53
  • Dimensions (1 module)
    210x100x29 mm (h x l x p)
  • Poids
    max. 500 g

Paramètres (suite)

  • Temps de réaction à la sonnerie
    réglable
  • Choix de pulsation
    40 / 60 ms (20 á 60 mA)
  • Niveau de la commande tonale
    -6 a -8 dB ± 2 dB (20 á 60 mA)
  • Vitesse de détection de la tonalité d’occupation
    réglable (350 - 500 Hz)
  • Vitesse de détection de la tonalité continue
    réglable (350 - 500 Hz)
  • Vitesse de détection de la tonalité d’appel
    réglable (350 - 500 Hz)
  • Résistance à la surtension – concordance
    1000 V (8 / 20 μs)
  • Résistance à la surtension – entre conducteurs A, B
    1000 V (8 / 20 μs)
    
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